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10.06.2016

Verlustarme Leistungshalbleiter

Bei den Leistungshalbleitermodulen der T-Baureihe gibt es 17 neue Modelle. Bestückt mit Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) der 7. Generation ermöglichen sie bei einer Auslegung für 1,7 kV eine geringe Verlustleistung und hohe Zuverlässigkeit. Sie erfüllen damit die Anforderungen von Universalwechselrichtern, unterbrechungsfreier Stromversorgung (USV), Photovoltaik- und Windenergieerzeugungsanlagen sowie Servoantrieben und Aufzügen. Durch die erweiterte Produktpalette sind in PV-Anlagen Wechselrichterkapazitäten für 690 V (AC-seitig) und 1 000 V (DC-seitig) möglich. Ein neuartiges Isolationsmaterial im Substrat sowie eine Verbesserung des internen Elektrodenaufbaus ermöglichen bei den NX-Gehäusen eine Verlängerung der durch Temperaturschwankungen beeinträchtigten Lebensdauer. Ferner ist die innere Induktivität niedriger und so die Funktionssicherheit der Anlage höher. Durch die Verwendung von CSTBT-Chips der 7. Generation mit Trägerspeichereffekt konnten die Verlustleistung sowie das elektromagnetische Rauschen reduziert werden. Dazu trägt ebenfalls der Einsatz von Relaxed Field of Cathode (RFC)-Dioden bei. Die einzigartige Struktur auf der Kathodenseite des Chips trägt zur Reduzierung der Leistungsverluste und Unterdrückung von Überspannungsstößen bei.

Mitsubishi Electric Europe B.V., Tel. 0 21 02/4 86 11 45, www.mitsubishichips.eu